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2P50G-TN3-R
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IC

TO-252-2

2P50G-TN3-R

场效应管(MOSFET) 41W 500V 2A 1个P沟道

品牌

UTC

封装

TO-252-2

交期

现货

批次

25+

2P50G-TN3-R参数

封装TO-252-2
品牌UTC(友顺)
批次25+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))8.5Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)343pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)59pF
分类场效应管(MOSFET)
库存5,476
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)500V
耗散功率(Pd)41W
栅极电荷量(Qg)11.5nC@10V
反向传输电容(Crss)9pF
类型P沟道

2P50G-TN3-R概述

场效应管(MOSFET) 41W 500V 2A 1个P沟道

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