2P15D
IC
PDFN3x3-8L
可供量大可议
2P15D
工艺:沟槽， 类型:P， 漏源电压(Vdss) (V):-150， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):-2～-4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700， 连续漏极电流ID(A):-2.2A
品牌
HL
封装
PDFN3x3-8L
库存
10,000
货期
现货
2P15D参数
| 封装 | PDFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10000 |
2P15D概述
工艺:沟槽， 类型:P， 漏源电压(Vdss) (V):-150， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):-2～-4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700， 连续漏极电流ID(A):-2.2A
2P15D特性
暂无产品特性。
2P15D应用领域
暂无应用领域。