2N7002PW-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为0.1A， 漏源击穿电压60V， 导通电阻高达1300毫欧， 栅源电压耐受20V。 由于导通阻抗较大， 该器件主要适用于小信号切换、逻辑电平转换及高阻抗负载驱动场景。 常见于便携式仪器信号通路控制、传感器偏置电路及低功耗待机管理模块， 在微安至毫安级电流应用中提供基础的开关功能与电路隔离保护。