2N7002PW, 115-JSM
IC
SOT-323
可供量大可议
2N7002PW, 115-JSM
漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V, 0.5A 耗散功率(Pd)：250mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-323
库存
2,740
货期
现货
2N7002PW, 115-JSM参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2740 |
2N7002PW, 115-JSM概述
漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V, 0.5A 耗散功率(Pd)：250mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
2N7002PW, 115-JSM特性
暂无产品特性。
2N7002PW, 115-JSM应用领域
暂无应用领域。