2N7002P-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002P-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：1.6V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
2N7002P-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
2N7002P-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：1.6V
2N7002P-JSM特性
暂无产品特性。
2N7002P-JSM应用领域
暂无应用领域。