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2N7002P,215
自营可供
IC

SOT-23

2N7002P,215

场效应管(MOSFET) 350mW 60V 360mA 1个N沟道

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

2N7002P,215参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))1.6Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2.4V
输入电容(Ciss)50pF
分类场效应管(MOSFET)
库存392,232
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)350mW
栅极电荷量(Qg)800pC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃

2N7002P,215概述

场效应管(MOSFET) 350mW 60V 360mA 1个N沟道

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