2N7002P, 215(ES)
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002P, 215(ES)
2N7002P, 215(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
品牌
ElecSuper
封装
SOT-23
库存
4,350
货期
现货
2N7002P, 215(ES)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ElecSuper(静芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4350 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V； 2.05Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 28pF |
| 类型 | N沟道 |
2N7002P, 215(ES)概述
未分类
2N7002P, 215(ES)特性
暂无产品特性。
2N7002P, 215(ES)应用领域
暂无应用领域。