2N7002NXAKR
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002NXAKR
场效应管(MOSFET) 265mW； 1.33W 60V 190mA； 300mA 1个N沟道
品牌
Nexperia
封装
SOT-23
库存
127,357
货期
现货
2N7002NXAKR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 输入电容(Ciss) | 20pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 127,357 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 265mW； 1.33W |
| 栅极电荷量(Qg) | 430pC@4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
2N7002NXAKR概述
场效应管(MOSFET) 265mW； 1.33W 60V 190mA； 300mA 1个N沟道
2N7002NXAKR特性
暂无产品特性。
2N7002NXAKR应用领域
暂无应用领域。