2N7002K_R1_00501
Available可供
IC
SOT-23
2N7002K_R1_00501
场效应管(MOSFET) 2N7002K_R1_00501
Brand
PANJIT
Package
SOT-23
交期
现货
Date Code
两年内
2N7002K_R1_00501Parameters
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | PANJIT(强茂) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 35pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
| 商品名称 | N沟道增强型MOSFET-静电保护型 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42,375 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@15V |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | 2N7002K_R1_00501 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.8e-05 |
2N7002K_R1_00501概述
场效应管(MOSFET) 2N7002K_R1_00501
2N7002K_R1_00501特性
- 当VGS为10 V、ID为500 mA时, RDS(ON) < 3 Ω
- 当VGS为4.5 V、ID为200 mA时, RDS(ON) < 4 Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电(ESD)保护达2 KV HBM
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料
2N7002K_R1_00501应用领域
- 负载开关
- PWM应用