2N7002KT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002KT1G
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
181,530
货期
现货
2N7002KT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 输入电容(Ciss) | 45pF |
| 类型 | N沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 181,530 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 420mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
2N7002KT1G概述
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道
2N7002KT1G特性
暂无产品特性。
2N7002KT1G应用领域
暂无应用领域。