2N7002KPW-AQ-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为60V， 栅源电压耐受值达20V， 支持0.1A连续漏极电流， 导通电阻典型值为1300mΩ。 其高耐压与适中导通阻抗特性， 适用于低压信号切换、便携式设备电源管理及小功率负载控制等场景。 器件在低电流应用中提供稳定的开关性能， 有助于简化电路设计并优化系统功耗表现。