2N7002KDW_R1_00501
IC
SOT-363
可供量大可议
2N7002KDW_R1_00501
特性：RDS(ON)， VGS@10V， Ip@500mA < 3Ω。 RDS(ON)， VGS@4.5V， Id@200mA < 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
品牌
PANJIT
封装
SOT-363
库存
1,790
货期
现货
2N7002KDW_R1_00501参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | PANJIT(强茂) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1790 |
2N7002KDW_R1_00501概述
特性：RDS(ON)， VGS@10V， Ip@500mA < 3Ω。 RDS(ON)， VGS@4.5V， Id@200mA < 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 关断状态下漏电流极低。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
2N7002KDW_R1_00501特性
暂无产品特性。
2N7002KDW_R1_00501应用领域
暂无应用领域。