2N7002K-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002K-T1-GE3-HXY
2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用小型SOT-23封装， 特别适合于紧凑型电子设计。 它能在60V的电压下稳定工作（VDSS）， 并支持0.3A的最大连续漏极电流（ID）。 关键优势在于其超低的导通电阻RD(on)仅为1000mR， 有效减少能量损耗， 提升系统效率。 广泛应用在电源转换、负载开关以及低电压、小电流的逻辑电平转换等领域， 是工程师们的理想组件之一。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
100
货期
现货
2N7002K-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
2N7002K-T1-GE3-HXY概述
2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用小型SOT-23封装， 特别适合于紧凑型电子设计。 它能在60V的电压下稳定工作（VDSS）， 并支持0.3A的最大连续漏极电流（ID）。 关键优势在于其超低的导通电阻RD(on)仅为1000mR， 有效减少能量损耗， 提升系统效率。 广泛应用在电源转换、负载开关以及低电压、小电流的逻辑电平转换等领域， 是工程师们的理想组件之一。
2N7002K-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
2N7002K-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。