2N7002K-T1-GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002K-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 350mW 60V 300mA 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
库存
162,653
货期
现货
2N7002K-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 162,653 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
2N7002K-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 350mW 60V 300mA 1个N沟道
2N7002K-T1-GE3特性
暂无产品特性。
2N7002K-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。