2N7002K-KTP
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002K-KTP
特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 关断状态下漏电流非常低。 ESD防护2KV HBM。 RDS(ON)， VGS@10V， ID@500mA < 2.8Ω。 RDS(ON)， VGS@4.5V， ID@200mA < 3.6Ω
品牌
KTP
封装
SOT-23
库存
3,600
货期
现货
2N7002K-KTP参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | KTP(科泰普) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3600 |
2N7002K-KTP概述
特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 关断状态下漏电流非常低。 ESD防护2KV HBM。 RDS(ON)， VGS@10V， ID@500mA < 2.8Ω。 RDS(ON)， VGS@4.5V， ID@200mA < 3.6Ω
2N7002K-KTP特性
暂无产品特性。
2N7002K-KTP应用领域
暂无应用领域。