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2N7002K-AU_R1_000A2
IC

SOT-23

可供量大可议

2N7002K-AU_R1_000A2

特性:RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA < 3Ω。 RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA < 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计, 实现超低导通电阻。 关断状态下极低的泄漏电流。 ESD保护2KV HBM。 AEC-Q101合格。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料

品牌

PANJIT

封装

SOT-23

库存

3,600

货期

现货

2N7002K-AU_R1_000A2参数

封装SOT-23
品牌PANJIT(强茂)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存3600

2N7002K-AU_R1_000A2概述

特性:RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA < 3Ω。 RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA < 4Ω。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计, 实现超低导通电阻。 关断状态下极低的泄漏电流。 ESD保护2KV HBM。 AEC-Q101合格。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料

2N7002K-AU_R1_000A2特性

暂无产品特性。

2N7002K-AU_R1_000A2应用领域

暂无应用领域。

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