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2N7002K-7
自营可供
IC

SOT-23

2N7002K-7

场效应管(MOSFET) 370mW 60V 380mA 1个N沟道

品牌

DIODES

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

2N7002K-7参数

封装SOT-23
品牌DIODES(美台)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V; 1.4Ω@5V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
商品名称1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存75,246
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)540mW
栅极电荷量(Qg)300pC@4.5V
反向传输电容(Crss)2.9pF
输出电容(Coss)4.2pF
商品型号2N7002K-7
单位个
商品重量0.00044

2N7002K-7概述

场效应管(MOSFET) 370mW 60V 380mA 1个N沟道

2N7002K-7特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 静电放电(ESD)防护高达2kV
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑, “绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q), 具备高可靠性
  • 符合汽车应用标准的产品(2N7002KQ)有单独的数据手册

2N7002K-7应用领域

  • 电机控制-电源管理功能-背光源

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