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2N7002K-7
IC

SOT-23

可供量大可议

2N7002K-7

场效应管(MOSFET) 370mW 60V 380mA 1个N沟道

品牌

DIODES

封装

SOT-23

库存

27,515

货期

现货

2N7002K-7参数

封装SOT-23
品牌DIODES(美台)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V; 1.4Ω@5V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存27,515
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)540mW
栅极电荷量(Qg)300pC@4.5V
反向传输电容(Crss)2.9pF
输出电容(Coss)4.2pF

2N7002K-7概述

场效应管(MOSFET) 370mW 60V 380mA 1个N沟道

2N7002K-7特性

暂无产品特性。

2N7002K-7应用领域

暂无应用领域。

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