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2N7002HWX-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

2N7002HWX-HXY

该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流0.1A, 导通电阻典型值1300毫欧, 栅源极耐受电压可达20V。 器件适用于低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、电池保护电路及信号切换模块。 其参数特性支持在低压直流系统中实现高效通断控制, 满足消费电子与通信终端对小型化、低功耗元器件的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

80

货期

现货

2N7002HWX-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存80

2N7002HWX-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流0.1A, 导通电阻典型值1300毫欧, 栅源极耐受电压可达20V。 器件适用于低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、电池保护电路及信号切换模块。 其参数特性支持在低压直流系统中实现高效通断控制, 满足消费电子与通信终端对小型化、低功耗元器件的需求。

2N7002HWX-HXY特性

暂无产品特性。

2N7002HWX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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