2N7002HWX-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
2N7002HWX-HXY
该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流0.1A, 导通电阻典型值1300毫欧, 栅源极耐受电压可达20V。 器件适用于低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、电池保护电路及信号切换模块。 其参数特性支持在低压直流系统中实现高效通断控制, 满足消费电子与通信终端对小型化、低功耗元器件的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
80
货期
现货
2N7002HWX-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
2N7002HWX-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流0.1A, 导通电阻典型值1300毫欧, 栅源极耐受电压可达20V。 器件适用于低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、电池保护电路及信号切换模块。 其参数特性支持在低压直流系统中实现高效通断控制, 满足消费电子与通信终端对小型化、低功耗元器件的需求。
2N7002HWX-HXY特性
暂无产品特性。
2N7002HWX-HXY应用领域
暂无应用领域。
