2N7002G-AE2-R
自营可供
IC
SOT-23-3
2N7002G-AE2-R
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 300mA 1个N沟道
品牌
UTC
封装
SOT-23-3
交期
现货
批次
两年内
2N7002G-AE2-R参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | UTC(友顺) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 类型 | N沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2,003 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 输入电容(Ciss) | 50pF |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
2N7002G-AE2-R概述
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 300mA 1个N沟道