2N7002G
自营可供
IC
SOT-23
2N7002G
特性：沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 应用：电池供电系统。 固态继电器
品牌
SHIKUES
封装
SOT-23
交期
现货
批次
—
2N7002G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | SHIKUES(时科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | 2N7002G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.24e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2850 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 27.5pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 2.75pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
2N7002G概述
特性：沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 应用：电池供电系统。 固态继电器
2N7002G特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
2N7002G应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS