2N7002ET1G
IC
SOT-23
可供量大可议
2N7002ET1G
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 260mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
169,976
货期
现货
2N7002ET1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 40pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 169,976 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 810pC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF |
2N7002ET1G概述
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 260mA 1个N沟道
2N7002ET1G特性
暂无产品特性。
2N7002ET1G应用领域
暂无应用领域。