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2N7002E
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IC

SOT-23

2N7002E

场效应管(MOSFET) 225mW 60V 300mA 1个N沟道

品牌

Slkor

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

2N7002E参数

封装SOT-23
品牌Slkor(萨科微)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.5Ω@5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存7,843
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)225mW
工作温度-55℃~+150℃
栅极电压(Vgs)±20V

2N7002E概述

场效应管(MOSFET) 225mW 60V 300mA 1个N沟道

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