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2N7002DW-TP
自营可供
IC

SOT-363-6

2N7002DW-TP

场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 2个N沟道 SOT-363-6

品牌

MCC

封装

SOT-363-6

交期

现货

批次

26+

2N7002DW-TP参数

封装SOT-363-6
品牌MCC(美微科)
批次26+
数量2个N沟道
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@10V; 1.3Ω@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)25.2pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)3.5pF
分类场效应管(MOSFET)
库存53,447
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)300mW
栅极电荷量(Qg)1.1nC@10V
反向传输电容(Crss)2.2pF
类型N沟道

2N7002DW-TP概述

场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 2个N沟道 SOT-363-6

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