2N7002DW-TP
IC
SOT-363-6
可供量大可议
2N7002DW-TP
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 2个N沟道 SOT-363-6
品牌
MCC
封装
SOT-363-6
库存
53,490
货期
现货
2N7002DW-TP参数
| 封装 | SOT-363-6 |
|---|---|
| 品牌 | MCC(美微科) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V； 1.3Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 25.2pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 3.5pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 53,490 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF |
| 类型 | N沟道 |
2N7002DW-TP概述
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 2个N沟道 SOT-363-6
2N7002DW-TP特性
暂无产品特性。
2N7002DW-TP应用领域
暂无应用领域。