2N7002DW-7-F
自营可供
IC
SOT-363
2N7002DW-7-F
场效应管(MOSFET) 310mW 60V 230mA 2个N沟道
品牌
DIODES
封装
SOT-363
交期
现货
批次
26+
2N7002DW-7-F参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:60V 电流:0.23A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39,092 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 输入电容(Ciss) | 22pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
| 商品型号 | 2N7002DW-7-F |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1e-05 |
2N7002DW-7-F概述
场效应管(MOSFET) 310mW 60V 230mA 2个N沟道
2N7002DW-7-F特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑, “绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q), 具备高可靠性
- 另有符合汽车标准的型号(2N7002DWQ), 其数据手册单独提供
2N7002DW-7-F应用领域
- 电机控制-电源管理功能