2N7002DW-7-F-ES
IC
SOT-363
可供量大可议
2N7002DW-7-F-ES
带ESD防护， 2个N沟道， 60V， 0.3A， 1.85Ω@10V； 应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
品牌
ElecSuper
封装
SOT-363
库存
3,000
货期
现货
2N7002DW-7-F-ES参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | ElecSuper(静芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:60V 电流:300mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V； 2.05Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 28pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
| 商品型号 | 2N7002DW-7-F-ES |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5.6e-05 |
2N7002DW-7-F-ES概述
2N7002DW-7-F-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。 标准产品2N7002DW-7-F-ES为无铅产品。
2N7002DW-7-F-ES特性
- 60V, RDS(ON) = 1.85Ω(典型值), VGS = 10V
- RDS(ON) = 2.05Ω(典型值), VGS = 4.5V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计, 实现低RDS(ON)
- ESD保护
- 人体模型(HBM):2kV
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
2N7002DW-7-F-ES应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换