2N7002BKW-HXY

该N沟道场效应管漏极电流为0.1A， 漏源击穿电压60V， 导通电阻1300毫欧， 栅源耐压20V。 器件适用于低压开关及信号切换场景， 如便携设备电源管理、电池保护电路与负载控制模块。 60V耐压支持中等电压应用， 1300毫欧导通电阻有助于降低通路损耗， 适合对尺寸与能效有要求的消费电子及通信终端设计。