2N7002BKS, 115-JSM
IC
SOT-363
可供量大可议
2N7002BKS, 115-JSM
数量：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-363
库存
740
货期
现货
2N7002BKS, 115-JSM参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 740 |
2N7002BKS, 115-JSM概述
数量：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
2N7002BKS, 115-JSM特性
暂无产品特性。
2N7002BKS, 115-JSM应用领域
暂无应用领域。