2N7002BK
自营可供
IC
SOT-23
2N7002BK
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 300mA 1个N沟道
品牌
ElecSuper
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
2N7002BK参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ElecSuper(静芯微） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 27pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
| 商品名称 | 耐压:60V 电流:0.3A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,891 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | 2N7002BK |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.11e-05 |
2N7002BK概述
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 300mA 1个N沟道
2N7002BK特性
- 漏源电压(VDS) = 60V, 漏极电流(ID) = 0.3A
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时, 导通电阻(RDS(ON)) < 2.5Ω
- 栅源电压(VGS) = 10V时, 导通电阻(RDS(ON)) < 2.2Ω
- 静电放电(ESD)等级:人体模型(HBM)2000V
2N7002BK应用领域
- 直接逻辑电平接口:晶体管
- 晶体管逻辑(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器