2N7002
自营可供
IC
SOT-23(SOT-23-3)
2N7002
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道
品牌
CJ
封装
SOT-23(SOT-23-3)
交期
现货
批次
26+
2N7002参数
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 16pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.3e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 710,423 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | 2N7002 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
2N7002概述
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道
2N7002特性
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
2N7002应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器