SOT-23-3
2N7002-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 𮧂 򏟋 V, 򏟋 񄂹 򬓹 A, RDS(ON), 򘞟 򑵼 򏟋 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򏟋 򏟋 򏟋 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 󗙻 񄂹 𮧂 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -򬓹 适用于低功率电路应用。 其特点是低漏极电流和低功耗， 适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。 采用Trench技术， 具有较高的栅极-源极电阻， 适合用于低功率应用。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
50
货期
现货
2N7002-T1-GE3-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
2N7002-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 𮧂 򏟋 V, 򏟋 񄂹 򬓹 A, RDS(ON), 򘞟 򑵼 򏟋 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򬓹 򏟋 򏟋 򏟋 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 󗙻 񄂹 𮧂 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -򬓹 适用于低功率电路应用。 其特点是低漏极电流和低功耗， 适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。 采用Trench技术， 具有较高的栅极-源极电阻， 适合用于低功率应用。
2N7002-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
2N7002-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。