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2N7002/HAMR
IC

SOT-23

可供量大可议

2N7002/HAMR

采用沟槽式MOSFET技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

库存

4,000

货期

现货

2N7002/HAMR参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存4000

2N7002/HAMR概述

采用沟槽式MOSFET技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。

2N7002/HAMR特性

暂无产品特性。

2N7002/HAMR应用领域

暂无应用领域。

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