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2N7002,215
IC

SOT-23

可供量大可议

2N7002,215

场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

库存

618,365

货期

现货

2N7002,215参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
反向传输电容(Crss)3.5pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±30V
分类场效应管(MOSFET)
库存618,365
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)830mW
输入电容(Ciss)50pF
工作温度-65℃~+150℃
输出电容(Coss)6.8pF

2N7002,215概述

场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道

2N7002,215特性

暂无产品特性。

2N7002,215应用领域

暂无应用领域。

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