2N7000
自营可供
IC
TO-92-3L
2N7000
场效应管(MOSFET) 400mW 60V 350mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
TO-92-3L
交期
现货
批次
26+
2N7000参数
| 封装 | TO-92-3L |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA |
| 封装 | TO-92 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000213 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5,047 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 输入电容(Ciss) | 60pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±15V |
| 商品型号 | 2N7000 |
| 包装方式 | 袋装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
2N7000概述
场效应管(MOSFET) 400mW 60V 350mA 1个N沟道
2N7000特性
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力