2N7000-D26Z

该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产， 旨在最大程度减少导通电阻， 同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。 它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用， 并可提供高达2A的脉冲电流， 尤其适合低电压、低电流应用。