2N6520TA
IC
TO-92-3L
可供量大可议
2N6520TA
特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCBO = -350 V。 集电极耗散：PC(max) = 625 mW。 与2N6517互补
品牌
onsemi
封装
TO-92-3L
库存
1,945
货期
现货
2N6520TA参数
| 封装 | TO-92-3L |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1945 |
2N6520TA概述
特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCBO = -350 V。 集电极耗散：PC(max) = 625 mW。 与2N6517互补
2N6520TA特性
暂无产品特性。
2N6520TA应用领域
暂无应用领域。