2N5550TFR-HXY
IC
TO-92
可供量大可议
2N5550TFR-HXY
这款NPN型三极管(BJT)拥有卓越的电气特性, 集电极电流IC为0.6A, 适用于处理较高功率的电路需求。 其集电极-发射极电压VCEO高达160V, 确保在高压环境下的稳定工作。 直流电流增益HFE范围在100至200之间, 保证了信号放大的可靠性与效率。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到了300MHz, 使其在高频应用中表现出色, 非常适合需要高效能、高速开关及放大功能的电子设备使用, 如通信装置和消费电子产品中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-92
库存
1,100
货期
现货
2N5550TFR-HXY参数
| 封装 | TO-92 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1100 |
2N5550TFR-HXY概述
这款NPN型三极管(BJT)拥有卓越的电气特性, 集电极电流IC为0.6A, 适用于处理较高功率的电路需求。 其集电极-发射极电压VCEO高达160V, 确保在高压环境下的稳定工作。 直流电流增益HFE范围在100至200之间, 保证了信号放大的可靠性与效率。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到了300MHz, 使其在高频应用中表现出色, 非常适合需要高效能、高速开关及放大功能的电子设备使用, 如通信装置和消费电子产品中。
2N5550TFR-HXY特性
暂无产品特性。
2N5550TFR-HXY应用领域
暂无应用领域。
