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2KK5089DFN
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DFN-6(2x2)

2KK5089DFN

2KK5089DFN

品牌

R+O

封装

DFN-6(2x2)

交期

现货

批次

—

2KK5089DFN参数

封装DFN-6(2x2)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
反向传输电容(Crss)88pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±8V
商品型号2KK5089DFN
单位个
商品重量1.5667e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存3070
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))16mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))800mV
输入电容(Ciss)1.613nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)102pF
商品名称2KK5089DFN
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

2KK5089DFN概述

2KK5089DFN

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