2ED020I12-FI
自营可供
IC
DSO-18
2ED020I12-FI
IC: driver; IGBT half-bridge; high-side, IGBT gate driver
品牌
Infineon
封装
DSO-18
交期
现货
批次
25+
2ED020I12-FI参数
| 封装 | DSO-18 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 25+ |
| 驱动配置 | 低边； 高边 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 1A |
| 上升时间(tr) | 20ns |
| 传播延迟 tpLH | 85ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 2V~5V |
| 功能特性 | 使能关断； 交错导通保护 |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT |
| 灌电流(IOL) | 2A |
| 工作电压 | 14V~18V |
| 下降时间(tf) | 20ns |
| 传播延迟 tpHL | 85ns |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 输入低电平(VIL) | 0V~800mV |
2ED020I12-FI概述
IC: driver; IGBT half-bridge; high-side, IGBT gate driver
2ED020I12-FI特性
- 半桥双通道设计：集成高侧与低侧驱动通道， 便于构建一相半桥或作为多相拓扑的模块化单元。
- 充分的瞬态驱动能力：1 A 源电流与 2 A 池电流可满足常见 IGBT 的开通/关断速度需求， 在配合适当栅阻时可控制切换损耗与电磁干扰。
- 快速响应：tr、tf 均为 20 ns 级别， 传播延迟约 85 ns， 适合中高频率功率转换场景。
- 欠压保护（UVP）：在供电电压不足时提供保护， 防止栅极在不可靠的供电下驱动 IGBT 导通造成误动作或损伤。
- 宽温度范围：工业级温度等级， 适应严苛环境下的长期运行。
- 标准逻辑兼容输入：支持 2 V ~ 5 V 的输入高电平范围， 以及 0 ~ 0.8 V 的低电平， 方便与 MCU、DSP 或 FPGA 直接接口（仍建议参考器件数据手册确认驱动源/下拉要求）。
2ED020I12-FI应用领域
- 交流/直流逆变器（PV、储能）的一相半桥模块
- 电机驱动与变频器（中低功率级）
- 工业电源与 UPS 的功率级驱动单元
- 焊接电源、感应加热等脉冲和高功率开关场合