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2DB1386R-13
自营可供
IC

SOT-89

2DB1386R-13

三极管(BJT) 1W 20V 5A PNP

品牌

DIODES

封装

SOT-89

交期

现货

批次

两年外

2DB1386R-13参数

封装SOT-89
品牌DIODES(美台)
批次两年外
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)20V
直流电流增益(hFE)180
集电极截止电流(Icbo)500nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存24
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)5A
耗散功率(Pd)1W
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))1V
射基极击穿电压(Vebo)6V

2DB1386R-13概述

三极管(BJT) 1W 20V 5A PNP

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