2DB1386R-13
IC
SOT-89
可供量大可议
2DB1386R-13
特性：BVCEO > -20V。 IC = -5A， 高连续电流。 低饱和电压VCE(sat) < -1V @ -4A。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件
品牌
DIODES
封装
SOT-89
库存
5
货期
现货
2DB1386R-13参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
2DB1386R-13概述
特性：BVCEO > -20V。 IC = -5A， 高连续电流。 低饱和电压VCE(sat) < -1V @ -4A。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件
2DB1386R-13特性
暂无产品特性。
2DB1386R-13应用领域
暂无应用领域。