2DB1182Q-13
IC
TO-252
可供量大可议
2DB1182Q-13
特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。 外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电压。 非常适合中功率开关或放大应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
TO-252
库存
2,260
货期
现货
2DB1182Q-13参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2260 |
2DB1182Q-13概述
特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。 外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电压。 非常适合中功率开关或放大应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
2DB1182Q-13特性
暂无产品特性。
2DB1182Q-13应用领域
暂无应用领域。