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25P03LG-VB
IC

TO-252

可供量大可议

25P03LG-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 是一种多功能、高性能的电子器件, 适用于许多不同的应用领域和模块。 TO252; P—Channel沟道, -30V; -38A; RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

23

货期

现货

25P03LG-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

25P03LG-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 是一种多功能、高性能的电子器件, 适用于许多不同的应用领域和模块。 TO252; P—Channel沟道, -30V; -38A; RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

25P03LG-VB特性

暂无产品特性。

25P03LG-VB应用领域

暂无应用领域。

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