2306-TD
IC
SOT-23
可供量大可议
2306-TD
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.16A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：47mΩ@10V, 3.5A
品牌
TDSEMIC
封装
SOT-23
库存
5,580
货期
现货
2306-TD参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TDSEMIC(拓电半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5580 |
2306-TD概述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.16A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：47mΩ@10V, 3.5A
2306-TD特性
暂无产品特性。
2306-TD应用领域
暂无应用领域。