20G10F
IC
PDFN5x6-8L
可供量大可议
20G10F
工艺:沟槽， 类型:N+P， 漏源电压(Vdss) (V):100/-100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):±1.2～±2.5， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):65/180， 连续漏极电流ID(A):15A/-7A
品牌
HL
封装
PDFN5x6-8L
库存
4,995
货期
现货
20G10F参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4995 |
20G10F概述
工艺:沟槽， 类型:N+P， 漏源电压(Vdss) (V):100/-100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):±1.2～±2.5， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):65/180， 连续漏极电流ID(A):15A/-7A
20G10F特性
暂无产品特性。
20G10F应用领域
暂无应用领域。