1PS79SB31-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
1PS79SB31-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为0.2A, 最大反向电压VR为30V。 其正向压降VF低至0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为30μA, 表现出良好的反向截止特性。 器件可承受1A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对低功耗和高效率有要求的整流、箝位及开关电路, 在多种通用电子设备中可提供稳定可靠的性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
5,240
货期
现货
1PS79SB31-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5240 |
1PS79SB31-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为0.2A, 最大反向电压VR为30V。 其正向压降VF低至0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为30μA, 表现出良好的反向截止特性。 器件可承受1A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对低功耗和高效率有要求的整流、箝位及开关电路, 在多种通用电子设备中可提供稳定可靠的性能。
1PS79SB31-HXY特性
暂无产品特性。
1PS79SB31-HXY应用领域
暂无应用领域。
