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1PS79SB31-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

1PS79SB31-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为0.2A, 最大反向电压VR为30V。 其正向压降VF低至0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为30μA, 表现出良好的反向截止特性。 器件可承受1A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对低功耗和高效率有要求的整流、箝位及开关电路, 在多种通用电子设备中可提供稳定可靠的性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

5,240

货期

现货

1PS79SB31-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存5240

1PS79SB31-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为0.2A, 最大反向电压VR为30V。 其正向压降VF低至0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为30μA, 表现出良好的反向截止特性。 器件可承受1A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对低功耗和高效率有要求的整流、箝位及开关电路, 在多种通用电子设备中可提供稳定可靠的性能。

1PS79SB31-HXY特性

暂无产品特性。

1PS79SB31-HXY应用领域

暂无应用领域。

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