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1PS79SB30-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

1PS79SB30-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.54V, 在导通时具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)为90μA, 表明在反向偏置下具备一定的阻断性能。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低电压电源转换、信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

2,380

货期

现货

1PS79SB30-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存2380

1PS79SB30-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.54V, 在导通时具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)为90μA, 表明在反向偏置下具备一定的阻断性能。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低电压电源转换、信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的电路设计。

1PS79SB30-HXY特性

暂无产品特性。

1PS79SB30-HXY应用领域

暂无应用领域。

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