1PS79SB30-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
1PS79SB30-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.54V, 在导通时具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)为90μA, 表明在反向偏置下具备一定的阻断性能。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低电压电源转换、信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
2,380
货期
现货
1PS79SB30-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2380 |
1PS79SB30-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.54V, 在导通时具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)为90μA, 表明在反向偏置下具备一定的阻断性能。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低电压电源转换、信号检波以及对效率和响应速度有要求的便携式电子设备中的电路设计。
1PS79SB30-HXY特性
暂无产品特性。
1PS79SB30-HXY应用领域
暂无应用领域。
