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1PS76SB70-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

1PS76SB70-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 平均正向电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在低电流工作条件下保持稳定导通特性; 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出优异的反向截止能力。 器件的非重复浪涌正向电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的小信号整流、精密检测电路、便携式电子设备及低电流电源管理等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

50

货期

现货

1PS76SB70-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存50

1PS76SB70-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 平均正向电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在低电流工作条件下保持稳定导通特性; 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出优异的反向截止能力。 器件的非重复浪涌正向电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的小信号整流、精密检测电路、便携式电子设备及低电流电源管理等应用场景。

1PS76SB70-HXY特性

暂无产品特性。

1PS76SB70-HXY应用领域

暂无应用领域。

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