1PS76SB70-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
1PS76SB70-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 平均正向电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在低电流工作条件下保持稳定导通特性; 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出优异的反向截止能力。 器件的非重复浪涌正向电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的小信号整流、精密检测电路、便携式电子设备及低电流电源管理等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
50
货期
现货
1PS76SB70-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
1PS76SB70-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 平均正向电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在低电流工作条件下保持稳定导通特性; 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出优异的反向截止能力。 器件的非重复浪涌正向电流(IFSM)为0.1A, 适用于对功耗敏感的小信号整流、精密检测电路、便携式电子设备及低电流电源管理等应用场景。
1PS76SB70-HXY特性
暂无产品特性。
1PS76SB70-HXY应用领域
暂无应用领域。
