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1PS76SB40-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

1PS76SB40-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 体现出良好的导通效率与关断特性。 器件可承受的最大正向浪涌电流(IFSM)为0.6A, 适用于对功耗敏感及需要快速响应的整流、信号解调和电源保护等电路中, 常见于消费类电子与便携设备的低压直流系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

2,920

货期

现货

1PS76SB40-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存2920

1PS76SB40-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 体现出良好的导通效率与关断特性。 器件可承受的最大正向浪涌电流(IFSM)为0.6A, 适用于对功耗敏感及需要快速响应的整流、信号解调和电源保护等电路中, 常见于消费类电子与便携设备的低压直流系统。

1PS76SB40-HXY特性

暂无产品特性。

1PS76SB40-HXY应用领域

暂无应用领域。

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